Come sappiamo in passato veniva utilizzato il Si per i piu ampi usi ma poi con il miglioramento della tecnologia a stato solido si e’ sicuramente passati all-uso del GaN per uso consumeristico.
Quest’ultimo induce un sensibile miglioramento all’efficienza e alla massima potenza trasferita nel tempo che un circuito di una data dimensione puo’ sviluppare.
Vediamo quindi a grandi linee le caratteristiche di un IC driver della Infineon per switch di tipo GaN (nitruro di Gallio ):
In sintesi un IC driver per transistor ad ampio bandgap, deve avere:
-Bassa Impedenza(Resistenza On di 0.85 ohm verso il source, 0.35 ohm verso il sink)
-Corrente di gate programmabile (10ma) in continuo stato ‘on’
-Voltaggio di gate negativo programmabile per evitare un’accensione non voluta
Links
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/high-side-gate-drivers-gan-eicedriver/
