Lo sviluppo delle memorie memristor, capaci di memorizzare informazioni modificando la propria resistenza, procede al punto di superare le costose memorie nand. Infatti le nuove periferiche messe a punto negli Statu Uniti consentono di raggiungere densita 100 volte maggiori delle Nand per ogni strato, utilizzando come materiale un mono-layer di Disolfuro di Molibdeno (materiale che puo essere impiegato per altri progetti).
Links
Smallest memristor device(news)
