Il problema delle interconnesioni del silicio

Abbiamo bisogno di computer, phone,tablet migliori e piu veloci. La potenza intrinseca del processore e- assolutamente determinata non solo dal tipo di architettura e frequenza ma anche al tipo di nodo(processo) utilizzato durante la fabbricazione.
Attualmente la maggior parte dei chip sono fabbricati con processi a 5nm-14nm che consentono il pieno sfruttamento delle capacita del silicio anche ad alta frequenza. Ma cosa succedera con le nuove tecnologie oltre i 5nm,per via che sara sempre piu difficile per produttori di chip sfruttare efficacemente tutto il potenziale del rimpicciolimento.

Sara- quindi necessario aspettare che la ricerca trovi soluzioni migliori al problema dell-interconnect dei transistor. Si perche attualmente i transistor sono collegati da sottili vie di rame, che mano mano diventano sempre piu un impedimento al passaggio della corrente elettrica. Si pensa quindi a soluzioni come l-uso del grafene, uso di tecniche ‘semi-damascene’ e altre in via di ricerca attualmente.

La durata del silicio e’ di certo limitata ma ci sono ancora dei grossi grattacapi per arrivare al limite fisico di 0.1 Angstrom.

Links
https://semiengineering.com/breaking-the-2nm-barrier/